Name: TK6R9P08QM,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6R9P08QMRQTR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK6R9P08QM,RQ
Productnummer DigiKey	264-TK6R9P08QMRQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TK6R9P08QMRQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TK6R9P08QMRQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TK6R9P08QM,RQ
Beschrijving	UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 62 A (Tc) 89W (Tc) Opbouwmontage DPAK
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TK6R9P08QM,RQ Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	62 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	6,9mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 500µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2700 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	89W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	DPAK
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63