Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPM1R908QM,LQ
Productnummer DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPM1R908QM,LQ
Beschrijving	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Opbouwmontage 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	26A (Ta), 238A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,9mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 1,2mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	10500 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Verpakking / doos	8-PowerTDFN