Name: TPW2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW2900ENH,L1QTR-ND
Price: 4.0293 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 200 V 33 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Opbouwmontage 8-DSOP Advance

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPW2900ENH,L1Q
Productnummer DigiKey	264-TPW2900ENH,L1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPW2900ENH,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPW2900ENH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPW2900ENH,L1Q
Beschrijving	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 200 V 33 A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Opbouwmontage 8-DSOP Advance
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 29mOhm @ 16,5A, 10V
Fabr. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 1mA
Serie U-MOSVIII-H	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 22 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2200 pF @ 100 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur 150°C
Spanning ontlading-bron (Vdss) 200 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 33 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier 8-DSOP Advance
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos 8-PowerVDFN