N-kanaal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Through-hole TO-247
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
N-kanaal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Through-hole TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW015N65C,S1F

Productnummer DigiKey
264-TW015N65CS1F-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TW015N65C,S1F
Beschrijving
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Standaard levertijd fabrikant
24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 100 A (Tc) 342W (Tc) Through-hole TO-247
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Filter vergelijkbare producten
Toon lege attributen
Categorie
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 11,7mA
Fabr.
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
128 nC @ 18 V
Verpakking
Buis
Vgs (max.)
+25V, -10V
Status onderdeel
Actief
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
4850 pF @ 400 V
FET-type
Vermogensdissipatie (max.)
342W (Tc)
Technologie
Bedrijfstemperatuur
175°C
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Type montage
Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Apparaatpakket leverancier
TO-247
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Verpakking / doos
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
21mOhm vid 50A, 18V
Milieu- en exportclassificaties
Vragen en antwoorden over producten
Meer resources
Op voorraad: 24
Controleer op extra binnenkomende voorraad
Alle prijzen zijn in EUR
Buis
Aantal Eenheidsprijs Ext Prijs
1€ 55,87000€ 55,87
30€ 39,00933€ 1.170,28
Standaardpakket van de fabrikant
Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.
Eenheidsprijs zonder BTW:€ 55,87000
Eenheidsprijs met BTW:€ 67,60270