TK125N60Z1,S1F
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW045N120C,S1F

Productnummer DigiKey
264-TW045N120CS1F-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TW045N120C,S1F
Beschrijving
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO
Standaard levertijd fabrikant
24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 1200 V 40 A (Tc) 182W (Tc) Through-hole TO-247
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Actief
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
59mOhm vid 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 6,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1969 pF @ 800 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
182W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
175°C
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247
Verpakking / doos
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 51
Controleer op extra binnenkomende voorraad
Alle prijzen zijn in EUR
Buis
Aantal Eenheidsprijs Ext Prijs
1€ 24,41000€ 24,41
30€ 15,85167€ 475,55
120€ 15,72258€ 1.886,71
Standaardpakket van de fabrikant
Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.
Eenheidsprijs zonder BTW:€ 24,41000
Eenheidsprijs met BTW:€ 29,53610