Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 17.0126 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TW083N65C,S1F
Productnummer DigiKey	264-TW083N65CS1F-ND
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TW083N65C,S1F
Beschrijving	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 30 A (Tc) 111W (Tc) Through-hole TO-247
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	30 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	113mOhm vid 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5V @ 600µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	873 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	111W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247
Verpakking / doos	TO-247-3

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 112

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 14,06000	€ 14,06
30	€ 8,70067	€ 261,02
120	€ 7,79383	€ 935,26

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.