Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 5.3119 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 100 V 160 A (Ta) 375W (Tc) Opbouwmontage TO-220SM(W)

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

XK1R9F10QB,LXGQ
Productnummer DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	XK1R9F10QB,LXGQ
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Standaard levertijd fabrikant	32 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 160 A (Ta) 375W (Tc) Opbouwmontage TO-220SM(W)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	XK1R9F10QB,LXGQ Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 184 nC @ 10 V
Fabr. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Serie U-MOSX-H	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 11500 pF @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogensdissipatie (max.) 375W (Tc)
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur 175°C
FET-type N-kanaal	Soort Automotive
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Kwalificatie AEC-Q101
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 160 A (Ta)	Apparaatpakket leverancier TO-220SM(W)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Verpakking / doos TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 1,92mOhm @ 80A, 10V	Basisproductnummer XK1R9F10
Vgs(th) (max.) bij Id 3,5V @ 1mA