IRFIB5N65APBF is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Op voorraad: 1.992
Eenheidsprijs : € 2,36000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 956
Eenheidsprijs : € 2,23000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,83000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 62
Eenheidsprijs : € 2,18000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.883
Eenheidsprijs : € 3,94000
Gegevensblad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 26
Eenheidsprijs : € 2,68000
Gegevensblad
N-kanaal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Through-hole TO-220-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IRFIB5N65APBF

Productnummer DigiKey
IRFIB5N65APBF-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
IRFIB5N65APBF
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Through-hole TO-220-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
IRFIB5N65APBF Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
930mOhm @ 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1417 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
60W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220-3
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.