N-kanaal 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Through-hole TO-247-3L
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

MXP120A250FW-GE3

Productnummer DigiKey
742-MXP120A250FW-GE3-ND
Fabrikant
Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant
MXP120A250FW-GE3
Beschrijving
SILICON CARBIDE MOSFET
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Through-hole TO-247-3L
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Vishay Siliconix
Serie
MaxSiC™
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
N-kanaal
Technologie
SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
10,5 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
313mOhm @ 4A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id
3,1V @ 10mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
20.3 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
447 pF @ 800 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
56W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247-3L
Verpakking / doos
TO-247-3
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt.