Name: SI2323DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2323DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8833 EUR
Availability: OutOfStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

SI2323DDS-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI2323DDS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI2323DDS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2323DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI2323DDS-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 5,3 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Opbouwmontage SOT-23
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI2323DDS-T1-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	20 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	5,3 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	39mOhm @ 4,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	1V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	36 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1160 pF @ 10 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-23
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproductnummer	SI2323

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 0,73000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 0,88330

SI2323DDS-T1-GE3