Name: SI2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6413 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI2387DS-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SI2387DS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SI2387DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI2387DS-T1-GE3
Beschrijving	P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 80 V 2,1A (Ta), 3A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Opbouwmontage SOT-23-3 (TO-236)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	2,1A (Ta), 3A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	164mOhm @ 2,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	10.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	395 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-23-3 (TO-236)
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 33.527

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van € 5,50 in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)