Name: SI3410DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2705 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI3410DV-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI3410DV-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Opbouwmontage 6-TSOP
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI3410DV-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	8 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	19,5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1295 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2W (Ta), 4,1W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	6-TSOP
Verpakking / doos	SOT-23-6 dun, TSOT-23-6
Basisproductnummer	SI3410