Name: SI3443DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3443DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.5324 EUR
Availability: InStock

SI3443DDV-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI3443DDV-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI3443DDV-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI3443DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI3443DDV-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP
Standaard levertijd fabrikant	38 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 4 A (Ta), 5,3 A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Opbouwmontage 6-TSOP
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI3443DDV-T1-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	20 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	4 A (Ta), 5,3 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	47mOhm @ 4,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	1,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	30 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	970 pF @ 10 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	6-TSOP
Verpakking / doos	SOT-23-6 dun, TSOT-23-6
Basisproductnummer	SI3443

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 0,44000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 0,53240

SI3443DDV-T1-GE3