Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2022 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI4477DY-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI4477DY-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Standaard levertijd fabrikant	38 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 26,6 A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Opbouwmontage 8-SOIC
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI4477DY-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 1,5V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 190 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max.) ±12V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4600 pF @ 10 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3W (Ta), 6,6W (Tc)
FET-type P-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 20 V	Apparaatpakket leverancier 8-SOIC
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 26,6 A (Tc)	Verpakking / doos 8-SOIC (0,154", 3,90mm breedte)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Basisproductnummer SI4477
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 6,2mOhm @ 18A, 4,5V