Name: SI4816BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.6015 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI4816BDY-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI4816BDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4816BDY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4816BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI4816BDY-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Standaard levertijd fabrikant	38 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Opbouwmontage 8-SOIC
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 18,5mOhm @ 6,8A, 10V
Fabrikant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bij Id 3V @ 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 10nC @ 5V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogen - max. 1W, 1,25W
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Configuratie 2 N-kanaal (halve brug)	Verpakking / doos 8-SOIC (0,154", 3,90mm breedte)
FET-kenmerk Logic level-poort	Apparaatpakket leverancier 8-SOIC
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30V	Basisproductnummer SI4816
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 5,8A, 8,2A