Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3TR-ND
Price: 7.1269 EUR
Availability: OutOfStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

SIHB33N60ET1-GE3
Productnummer DigiKey	SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIHB33N60ET1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Standaard levertijd fabrikant	25 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Opbouwmontage TO-263 (D2PAK)
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	33 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	99mOhm @ 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3508 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	278W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TO-263 (D2PAK)
Verpakking / doos	TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Basisproductnummer	SIHB33

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 5,89000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 7,12690

SIHB33N60ET1-GE3