SIHG16N50C-E3 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Op voorraad: 1.123
Eenheidsprijs : € 4,88000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 424
Eenheidsprijs : € 6,14000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 153
Eenheidsprijs : € 6,94000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 272
Eenheidsprijs : € 6,77000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 376
Eenheidsprijs : € 34,16000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 5,57000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 502
Eenheidsprijs : € 4,88000
Gegevensblad
N-kanaal 500 V 16 A (Tc) 250W (Tc) Through-hole TO-247AC
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIHG16N50C-E3

Productnummer DigiKey
SIHG16N50C-E3-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
SIHG16N50C-E3
Beschrijving
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 500 V 16 A (Tc) 250W (Tc) Through-hole TO-247AC
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
SIHG16N50C-E3 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
500 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
380mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1900 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247AC
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.