Name: SIHG33N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N65E-GE3-ND
Price: 3.52734 EUR
Availability: OutOfStock

SIHG33N65E-GE3
Productnummer DigiKey	SIHG33N65E-GE3-ND
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIHG33N65E-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 32,4 A (Tc) 313W (Tc) Through-hole TO-247AC
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	32,4 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	105mOhm @ 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4040 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	313W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247AC
Verpakking / doos	TO-247-3
Basisproductnummer	SIHG33

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 2,91516
Eenheidsprijs met BTW:	€ 3,52734

SIHG33N65E-GE3