Name: SIHP22N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP22N65E-GE3-ND
Price: 2.14995 EUR
Availability: OutOfStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Ik ga akkoord met het ontvangen van marketingmails van DigiKey (optioneel). Ik begrijp dat ik mijn toestemming op elk moment kan intrekken. Bekijk onze Privacyverklaring.

INFORMATIE

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

HULP

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

CONTACTEER ONS

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

SIHP22N65E-GE3
Productnummer DigiKey	SIHP22N65E-GE3-ND
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIHP22N65E-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Standaard levertijd fabrikant	22 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIHP22N65E-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	22 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2415 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	227W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-220AB
Verpakking / doos	TO-220-3
Basisproductnummer	SIHP22

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 1,77682
Eenheidsprijs met BTW:	€ 2,14995

SIHP22N65E-GE3

INFORMATIE

HULP

CONTACTEER ONS

VOLG ONS