Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.4735 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIJH112E-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIJH112E-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 8 x 8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIJH112E-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 160 nC @ 10 V
Fabr. Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 8050 pF @ 50 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 8 x 8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerTDFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 2,8mOhm @ 20A, 10V	Basisproductnummer SIJH112
Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA