Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.2116 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIJK5100E-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIJK5100E-T1-GE3
Beschrijving	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK®10 x 12
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIJK5100E-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 1,4mOhm @ 80A, 10V
Fabr. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Serie TrenchFET®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 200 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 11480 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 17W (Ta), 536W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PowerPAK®10 x 12
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Verpakking / doos 8-PowerBSFN