Name: SIR880BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.2022 EUR
Availability: OutOfStock

SIR880BDP-T1-RE3 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

onsemi

Op voorraad: 1.614

Eenheidsprijs : € 2,93000

Similar

Rohm Semiconductor

Op voorraad: 4

Eenheidsprijs : € 3,32000

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIR880BDP-T1-RE3
Productnummer DigiKey	742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIR880BDP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIR880BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIR880BDP-T1-RE3
Beschrijving	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIR880BDP-T1-RE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 6,5mOhm @ 10A, 10V
Fabr. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bij Id 2,4V @ 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 66 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2930 pF @ 40 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 5W (Ta), 71,4W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 80 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 18,6A (Ta), 70,6A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® SO-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos PowerPAK® SO-8