Name: SIRA00DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.2065 EUR
Availability: OutOfStock

SIRA00DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIRA00DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIRA00DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIRA00DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIRA00DP-T1-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	100 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,2V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	11700 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIRA00

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
3.000	€ 0,79055	€ 2.371,65
6.000	€ 0,74813	€ 4.488,78

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 2,65000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 3,20650

SIRA00DP-T1-GE3