Name: SIS862ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS862ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4157 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIS862ADN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIS862ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS862ADN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS862ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIS862ADN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	29 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 15,8A (Ta), 52A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIS862ADN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	15,8A (Ta), 52A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	7,2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1235 pF @ 30 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,6W (Ta), 39W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8
Basisproductnummer	SIS862