Name: SIS890DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS890DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIS890DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIS890DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Standaard levertijd fabrikant	42 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIS890DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 3V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 29 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 802 pF @ 50 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 30 A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer SIS890
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 23,5mOhm @ 10A, 10V