Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.5289 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISF00DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISF00DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISF00DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Vgs(th) (max.) bij Id 2,1V @ 250µA
Fabrikant Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 53nC @ 10V
Serie TrenchFET® Gen IV	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2700pF @ 15V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogen - max. 69,4W (Tc)
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Configuratie 2 N-kanaal (dubbel) gemeenschappelijke drain	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 60 A (Tc)	Basisproductnummer SISF00
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V