Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISS23DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISS23DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8S
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISS23DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	20 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	50 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	4,5mOhm @ 20A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	900mV @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	8840 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-50°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8S
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8S
Basisproductnummer	SISS23