Name: SISS50DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7545 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISS50DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISS50DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISS50DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 45 V 29,7A (Ta), 108A (Tc) 5 (T+), 65,7W (T+) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8S
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2,3V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 70 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) +20V, -16V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4000 pF @ 20 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 5 (T+), 65,7W (T+)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 45 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8S
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 29,7A (Ta), 108A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8S
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer SISS50
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 2,83mOhm @ 15A, 10V