Name: SISS92DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS92DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9239 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISS92DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISS92DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS92DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS92DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISS92DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	42 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 250 V 3,4A (Ta), 12,3A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8S
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 16 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 350 pF @ 125 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 250 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8S
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 3,4A (Ta), 12,3A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8S
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Basisproductnummer SISS92
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 173mOhm @ 3,6A, 10V