Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 6.0984 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQD50N06-09L_GE3
Productnummer DigiKey	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQD50N06-09L_GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Standaard levertijd fabrikant	25 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Opbouwmontage TO-252AA
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SQD50N06-09L_GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	50 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3065 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	136W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TO-252AA
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	SQD50