eGaN FET's Characteristics

eGan® FET's Characteristics

EPC

This tutorial covers the operation of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors.  To explain the eGaN devices’ ease-of-use, it is necessary to first understand how the device operates and highlight both the similarities and differences versus current power MOSFETs.

Related Parts

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingFunctieIngebouwdGebruikt IC / onderdeelAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
EVAL BOARD FOR EPC2015EPC9001EVAL BOARD FOR EPC2015Driver halve H-brug (externe FET)NeeEPC20150 - Immediate$77.73Details weergeven
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9017EVAL BOARD FOR EPC2001Driver halve H-brug (externe FET)NeeEPC20010 - Immediate$102.56Details weergeven
EVAL BOARD FOR EPC8007EPC9027EVAL BOARD FOR EPC8007Driver halve H-brug (externe FET)NeeEPC80070 - Immediate$124.16Details weergeven
EVAL BOARD FOR EPC2001EPC9002EVAL BOARD FOR EPC2001Driver halve H-brug (externe FET)NeeEPC20010 - Immediate$77.73Details weergeven
PTM Published on: 2010-10-06

Related Articles and Blogs

Bij DigiKey verkrijgbare GaN-producten en -hulpmiddelen GaN wordt steeds vaker gebruikt voor voedingsontwerpen. Deze blog biedt wat achtergrondinformatie en een overzicht van relevante GaN-producten en -hulpmiddelen die bij DigiKey verkrijgbaar zijn.
High-Step-Down-Ratio Buck Converters for Intermediate Bus Architectures Solutions for the design challenges of high-step-down-ratio DC/DC buck converters including Silicon & eGan FETs.

Related Product Training Modules

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.
Driving eGaN® Power Transistors EPC brings enhancement mode to GaN giving the design engineer a whole new spectrum of performance compared with silicon power MOSFETs.
eGaN® Basics The basics of EPC’s enhancement mode gallium nitride (eGaN) transistors.