ROHM Semiconductor

SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM’s ultra-low switching loss diodes are available in a variety of current ratings and packages

Image of ROHM SiC Schottky Barrier DiodeROHM offers silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes in a variety of current ratings and packages. Some features include low forward voltage drop, high peak current (IFSM) ratings, and low leakage. They are available with one or two diodes per package, and some AEC-Q101 qualified models are available for automotive use. The reverse recovery time (trr) is virtually constant, regardless of temperature (due primarily to device capacitance). It delivers much lower switching loss than silicon fast recovery diodes (SiFRDs).

Features
  • Ultra-fast recovery time
  • Maximum junction temperature: 175°C
  • Packaged devices rated for 650 V or 1200 V
  • Bare dies available up to 1700 V
  • SPICE and thermal models available
  • Continuous forward current ratings of 2 A, 4 A, 5 A, 6 A, 8 A, 10 A, 12 A, 15 A, 20 A, 30 A, and 40 A
  • 3rd generation with low VF
  • Operating temperature range: -40°C to +175°C
Applications
  • Power factor correction circuits
  • Secondary rectifiers
  • Automotive electronics

SiC Diodes

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingSpanning - DC omgekeerd (Vr) (max.)Available QuantityPrijsDetails weergeven
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS220KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471200 V0 - Immediate$8.95Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS240AE2CDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247650 V0 - Immediate$8.44Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS120KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471200 V0 - Immediate$22.67Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 600V 20A TO-247SCS140AE2CDIODE ARRAY SIC 600V 20A TO-247600 V0 - Immediate$31.63Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS210KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247650 V0 - Immediate$5.73Details weergeven

SiC Transistors

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingFET-kenmerkAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULEBSM120D12P2C005MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE-2 - Immediate$317.64Details weergeven
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE-13 - Immediate$486.49Details weergeven
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE-8 - Immediate$613.62Details weergeven
MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULEBSM250D17P2E004MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE-7 - Immediate$849.88Details weergeven
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE-3 - Immediate$275.30Details weergeven

Diodes - Rectifiers - Single

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingSpanning - doorlaat (Vf) (max.) bij IfSnelheidInverse hersteltijd (trr)Available QuantityPrijsDetails weergeven
DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220ACSCS205KGCDIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC1.6 V @ 5 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$2.01Details weergeven
DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220ACSCS205KGHRCDIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC1.6 V @ 5 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$2.83Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACSCS206AGCDIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC1.55 V @ 6 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$1.34Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACSCS206AGHRCDIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC1.55 V @ 6 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$1.86Details weergeven
DIODE SIL CARB 650V 6A TO263ABSCS206AJHRTLLDIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB1.55 V @ 6 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns746 - Immediate$5.38Details weergeven

Diodes - Rectifiers - Arrays

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingSpanning - doorlaat (Vf) (max.) bij IfSnelheidStroom - sper lekkage bij VrAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247SCS210KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-2471.55 V @ 20 AGeen hersteltijd >500mA (Io)400 µA @ 600 V0 - Immediate$5.73Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220AE2CDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$4.51Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220AE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$5.33Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247SCS220KE2CDIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-2471.6 V @ 10 AGeen hersteltijd >500mA (Io)0 ns0 - Immediate$8.95Details weergeven
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247SCS220KE2HRCDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-2471.55 V @ 10 AGeen hersteltijd >500mA (Io)200 µA @ 600 V0 - Immediate$9.93Details weergeven
Updated: 2020-04-22
Published: 2019-04-30

Related Videos

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Publicatiedatum: 2023-06-22

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems
Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

Publicatiedatum: 2023-02-06

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Publicatiedatum: 2023-02-06

Related Product Highlight

Industrial Power Solutions ROHM’s reliable portfolio of power solutions includes a variety of applications within the industrial sector from SiC MOSFETs and gate drivers to IPMs and shunt resistors. Learn more at DigiKey today.
SiC Power MOSFETs ROHM’s silicon carbide (SiC) MOSFETs come in a variety of ON resistances and voltage (VDSS) ratings of 650 V, 1,200 V, or 1,700 V.
AEC-Q101 Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes ROHM Semiconductor's AEC-Q101 silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes are ideal for a variety of automotive applications.

Related Articles and Blogs

Wide bandgap-halfgeleiders hervormen de transportwereld De hele transportsector ondergaat een radicale transformatie met oplossingen voor elektrische en hybride auto's en schoner massavervoer.
Wide Band Gap-halfgeleiders in ruimtevaart- en satelliettoepassingen Wide Band Gap-halfgeleiders bieden verschillende voordelen bij vermogensomzetting, zoals een hogere vermogensdichtheid en efficiëntie, en een geringere omvang en gewicht van het systeem.
Pas de juiste voedingscomponenten correct toe om te voldoen aan de vereisten van industriële voedingen Door de juiste voedingscomponenten correct toe te passen, kunnen ontwerpers voldoen aan de vereiste prestaties en betrouwbaarheid voor industriële voedingen en omvormers.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
Silicon Carbide (SiC) Barrier Diodes Introducing Silicon Carbide advantages over silicon-based products, as well as an explanation of how their unique characteristics can benefit existing power solutions.