Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 3.2912 EUR
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
Productnummer DigiKey	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGB070S10S1XTMA1
Beschrijving	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 13 A (Ta), 38 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Opbouwmontage PG-TSON-4-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGB070S10S1XTMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	GaNFET (galliumnitride)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	13 A (Ta), 38 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	7mOhm @ 13A, 5V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,9V @ 4,5mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	7.9 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±6,5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	740 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSON-4-2
Verpakking / doos	4-PowerTDFN

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 2,72000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 3,29120

IGB070S10S1XTMA1