Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.8919 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IGB110S10S1XTMA1
Productnummer DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGB110S10S1XTMA1
Beschrijving	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Standaard levertijd fabrikant	25 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Opbouwmontage PG-TSON-4-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGB110S10S1XTMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 5V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 2,9V @ 3mA
Serie CoolGaN™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 3.4 nC @ 5 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±6,5V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 340 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -40°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 9 A (Ta), 23 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-TSON-4-2
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 5V	Verpakking / doos 4-PowerTDFN