Name: IGT65R055D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND
Price: 6.9938 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+31) 53 202 8000 eu.support@digikey.com

IGT65R055D2ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IGT65R055D2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGT65R055D2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGT65R055D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGT65R055D2ATMA1
Beschrijving	IGT65R055D2ATMA1
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 31 A (Tc) 106W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGT65R055D2ATMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	GaNFET (galliumnitride)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	31 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bij Id	1,6V @ 2,6mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	4.7 nC @ 3 V
Vgs (max.)	-10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	340 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	106W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HSOF-8-3
Verpakking / doos	8-PowerSFN

Eenheidsprijs zonder BTW:	€ 5,78000
Eenheidsprijs met BTW:	€ 6,99380

IGT65R055D2ATMA1