Name: GAN080-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN080-650EBEZTR-ND
Price: 8.5063 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

GAN080-650EBEZ
Productnummer DigiKey	1727-GAN080-650EBEZTR-ND - Tape & Reel (TR) 1727-GAN080-650EBEZCT-ND - Cut Tape (CT) 1727-GAN080-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Nexperia USA Inc.
Productnummer fabrikant	GAN080-650EBEZ
Beschrijving	650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Standaard levertijd fabrikant	4 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 29 A (Tc) 240W (Tc) Opbouwmontage, wettable flank DFN8080-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2,5V @ 30,7mA
Fabr. Nexperia USA Inc.	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 6.2 nC @ 6 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +7V, -6V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 225 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 240W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Opbouwmontage, wettable flank
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 29 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier DFN8080-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 6V	Verpakking / doos 8-VDFN blootliggende pad
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 80mOhm @ 8A, 6V	Basisproductnummer GAN080