Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 18.7066 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMCQ120R017M2HXTMA1
Productnummer DigiKey	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMCQ120R017M2HXTMA1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 118A (Tc) 580W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-22
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	118A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	17,1mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 12,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	91.1 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	3730 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	580W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HDSOP-22
Verpakking / doos	22-PowerBSOP module