Name: IMW120R007M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Price: 52.272 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Through-hole PG-TO247-3

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMW120R007M1HXKSA1
Productnummer DigiKey	448-IMW120R007M1HXKSA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMW120R007M1HXKSA1
Beschrijving	SIC DISCRETE
Standaard levertijd fabrikant	49 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 225 A (Tc) 750W (Tc) Through-hole PG-TO247-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMW120R007M1HXKSA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 9,9mOhm @ 108A, 18V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,2V @ 47mA
Serie CoolSiC™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 289 nC @ 18 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) +20V, -5V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 9170 pF @ 800 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 750W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 1200 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 225 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-TO247-3
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Verpakking / doos TO-247-3

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 1.188

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 43,20000	€ 43,20
30	€ 29,28800	€ 878,64
120	€ 28,45750	€ 3.414,90

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.