Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 5.6386 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPB038N12N3GATMA1
Productnummer DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPB038N12N3GATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Opbouwmontage PG-TO263-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPB038N12N3GATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 270µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 211 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 13800 pF @ 60 V
Status onderdeel Niet voor nieuwe ontwerpen	Vermogensdissipatie (max.) 300W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 120 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO263-3
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 120 A (Tc)	Verpakking / doos TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Basisproductnummer IPB038
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 3,8mOhm @ 100A, 10V