Name: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 7.9497 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-1

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPT017N10NM5LF2ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Beschrijving	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Standaard levertijd fabrikant	37 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPT017N10NM5LF2ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 1,6mOhm @ 150A, 15V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 3,9V @ 280µA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 206 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 17000 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-HSOF-8-1
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V	Verpakking / doos 8-PowerSFN