IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPTG111N20NM3FDATMA1
Productnummer DigiKey	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPTG111N20NM3FDATMA1
Beschrijving	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOG-8-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Niet meer gevolgd bij Digi-Key
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	11,1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 267µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	7000 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-HSOG-8-1
Verpakking / doos	8-PowerSMD, knikvleugel
Basisproductnummer	IPTG111N