Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 4.114 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-1

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQE006NE2LM5CGATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT)
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQE006NE2LM5CGATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2V @ 250µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±16V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 5453 pF @ 12 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 25 V	Apparaatpakket leverancier PG-TTFN-9-1
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerTDFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,65mOhm @ 20A, 10V	Basisproductnummer IQE006