Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.4286 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Opbouwmontage PG-WHTFN-9-1

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Opbouwmontage PG-WHTFN-9-1
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,58mOhm @ 20A, 10V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 2V @ 250µA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 82 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 5453 pF @ 12 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 25 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-WHTFN-9-1
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos 9-PowerWDFN