Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.2514 EUR
Availability: OutOfStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

ISC022N10NM6ATMA1
Productnummer DigiKey	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	ISC022N10NM6ATMA1
Beschrijving	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Standaard levertijd fabrikant	52 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Opbouwmontage PG-TSON-8-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	ISC022N10NM6ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	25A (Ta), 230A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,24mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,3V @ 147µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	6880 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Ta), 254W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSON-8-3
Verpakking / doos	8-PowerTDFN
Basisproductnummer	ISC022N