IXTH52N65X is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


IXYS
Op voorraad: 450
Eenheidsprijs : € 9,60000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 16
Eenheidsprijs : € 12,18000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 1.305
Eenheidsprijs : € 5,23000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 917
Eenheidsprijs : € 10,68000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 443
Eenheidsprijs : € 9,79000
Gegevensblad
IXYX110N120A4
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IXTH52N65X

Productnummer DigiKey
IXTH52N65X-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
IXTH52N65X
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Through-hole TO-247 (IXTH)
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
IXTH52N65X Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
68mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
4350 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
660W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247 (IXTH)
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.