Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 24.2847 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 650 V 93 A (Tc) 266W (Tc) Through-hole TO-247-3

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H015G5WS
Productnummer DigiKey	1707-TP65H015G5WS-ND
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H015G5WS
Beschrijving	650 V 95 A GAN FET
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 93 A (Tc) 266W (Tc) Through-hole TO-247-3
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 18mOhm @ 60A, 10V
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bij Id 4,8V @ 2mA
Serie SuperGaN™	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 100 nC @ 10 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 5218 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 266W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 93 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier TO-247-3
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos TO-247-3

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 317

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 20,07000	€ 20,07
30	€ 12,72233	€ 381,67
120	€ 11,11517	€ 1.333,82
510	€ 10,88935	€ 5.553,57

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.