SCT2H12NYTB is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
Op voorraad: 625
Eenheidsprijs : € 4,78000
Gegevensblad
N-kanaal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Opbouwmontage TO-268
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
N-kanaal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Opbouwmontage TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

Productnummer DigiKey
SCT2H12NYTBTR-ND - Tape & Reel (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Cut Tape (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant
Productnummer fabrikant
SCT2H12NYTB
Beschrijving
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 1700 V 4 A (Tc) 44W (Tc) Opbouwmontage TO-268
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
SCT2H12NYTB Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1700 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
1,5Ohm @ 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 410µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
184 pF @ 800 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
44W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
175°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier
TO-268
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.