Instellingen
Snelle levering
Gratis verzending
Incoterms
Betalingswijzen
Marketplace-product
SI4900DY-T1-GE3 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:
Parametrisch equivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Productnummer DigiKey | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabrikant | |
Productnummer fabrikant | SI4900DY-T1-GE3 |
Beschrijving | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Klantreferentie | |
Gedetailleerde beschrijving | MOSFET's - Arrays 60V 5,3A 3,1W Opbouwmontage 8-SOIC |
Gegevensblad | Gegevensblad |
Productkenmerken
Type | Beschrijving | Alles selecteren |
|---|---|---|
Categorie | ||
Fabrikant | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpakking | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® | |
Status onderdeel | Verouderd | |
Technologie | MOSFET (metaaloxide) | |
Configuratie | 2 N-kanaal (dubbel) | |
FET-kenmerk | Logic level-poort | |
Spanning ontlading-bron (Vdss) | 60V | |
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C | 5,3A | |
Rds aan (max.) bij Id, Vgs | 58mOhm @ 4,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bij Id | 3V @ 250µA | |
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs | 20nC @ 10V | |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds | 665pF @ 15V | |
Vermogen - max. | 3,1W | |
Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type montage | Opbouwmontage | |
Verpakking / doos | 8-SOIC (0,154", 3,90mm breedte) | |
Apparaatpakket leverancier | 8-SOIC | |
Basisproductnummer |
Verouderd
Nederland