Name: TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H100G4PS-ND
Price: 6.8123 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 650 V 18.9A (Tc) 65,8W (Tc) Through-hole TO-220AB

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H100G4PS
Productnummer DigiKey	1707-TP65H100G4PS-ND
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H100G4PS
Beschrijving	Hi Volt FETs
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 65,8W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 110mOhm @ 12A, 10V
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bij Id 4.1V @ 1.8mA
Serie SuperGaN®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 14.4 nC @ 10 V
Verpakking Buis	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 818 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 65,8W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Through-hole
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 18.9A (Tc)	Apparaatpakket leverancier TO-220AB
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos TO-220-3

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 1.000

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	€ 5,63000	€ 5,63
50	€ 2,98220	€ 149,11
100	€ 2,72680	€ 272,68
500	€ 2,27932	€ 1.139,66
1.000	€ 2,13571	€ 2.135,71
2.000	€ 2,07163	€ 4.143,26

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.