Name: TP65H150BG4JSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND
Price: 5.5418 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Opbouwmontage 8-PQFN (5x6)

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TP65H150BG4JSG-TR
Productnummer DigiKey	1707-TP65H150BG4JSG-TR-ND - Tape & Reel (TR) 1707-TP65H150BG4JSG-TRCT-ND - Cut Tape (CT) 1707-TP65H150BG4JSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Renesas Electronics Corporation
Productnummer fabrikant	TP65H150BG4JSG-TR
Beschrijving	GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 16 A (Tc) 83W (Tc) Opbouwmontage 8-PQFN (5x6)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TP65H150BG4JSG-TR Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 6V
Fabr. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bij Id 2,8V @ 500µA
Serie SuperGaN®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 4.9 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±10V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 400 pF @ 400 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 83W (Tc)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 16 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier 8-PQFN (5x6)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 6V	Verpakking / doos 8-PowerTDFN